256Kbit非易失性存储器FM25V02A的功能及特性

功能概述

FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相关支持。

与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。

由于具有这些特性，因此FM25V02A适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集（其中写周期数量是非常重要的）到苛刻的工业控制（其中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失）。

作为硬件替代时，FM25V02A为串行EEPROM或闪存的用户提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI总线，从而可以增强FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，通过该ID，主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到+85℃的工业级温度范围内，该设备规范得到保证。

特性

256Kbit铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为32K×8

高耐久性：100万亿（1014）次的读/写操作

151年的数据保留时间

NoDelay™写操作

高级高可靠性的铁电工艺

非常快的串行外设接口（SPI）

频率高达40MHz

串行闪存和EEPROM的硬件直接替代

支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）

精密的写入保护方案

使用写保护（WP）引脚提供硬件保护

使用写禁用指令提供软件保护

可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块保护

设备ID

制造商ID和产品ID

低功耗

频率为40MHz时，有效电流为2.5mA

待机电流为150mA

睡眠模式电流为8mA

工作电压较低：VDD=2.0V到3.6V

工业温度范围：–40℃~+85℃

封装

8引脚小外型集成电路（SOIC）封装

8引脚扁平无引脚（DFN）封装

符合有害物质限制（RoHS）

封装引脚

FM25V02A是一种采用先进铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的，执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

责任编辑：tzh