硅基Mini LED显示 晶能硅基垂直芯片方案的三大优势

LED行业每十年左右迎来一轮大的技术和应用升级。十年前以大尺寸背光、小间距显示为代表的应用升级，驱动了2010-2017年LED行业的繁荣。而结合目前芯片价格上涨、中国台湾产业链营收回暖等迹象，LED行业拐点正在来临，下游需求向好叠加技术升级推动行业景气抬升，Mini/Micro LED将开启下一个十年。

LED日趋微型化，Mini & Micro LED应运而生， Mini LED背光产品对提升显示质量效果显著， Mini LED背光商业化进展迅速，有望成为液晶高端显示器解决方案。专家预测Mini & Micro LED直显可能是未来最优的显示技术；高画质、低能耗特点使其在消费电子市场优势尽显。

2021年8月4日，深圳市照明与显示工程行业协会、惠州仲恺高新区LED品牌发展促进会、广州国际照明展览会在广州国际照明展9.2号馆E60联合主办主题为“LED显示照明行业新十年”的Mini & Micro LED显示照明发展高峰论坛。

晶能芯片中心总监杨小东出席Mini & Micro LED显示照明发展高峰论坛并做《硅基LED Mini超高清显示屏应用趋势》主题演讲。

以下是报告主要内容

晶能硅基垂直芯片方案有三大优势：

01

Mini LED显示方案

晶能TFFC芯片P0.6—P0.3间距解决方案简介：

TFFC: 一般指经过衬底剥离的薄膜LED芯片，做成倒装结构，称为thin film flip chip，薄膜倒装LED芯片或者去衬底倒装LED芯片，简称TFFC。

晶能P0.6—P0.3显示方案TFFC 2*4mil芯片简介：

VTF/TFFC 芯片实现P0.6—0.3技术方案介绍：

由于现有四元红光去衬底后机械强度不够，在极小芯片尺寸下进行转移的过程中容易碎裂，很难进行后续的工艺生产。晶能将以下两个技术路线为主要研发方向：

技术路线一：

RGB三色均采用InGaN TFFC ，LED外延、芯片制程统一。硅基InGaN红光LED取得巨大突破，为该技术提供可能。

技术路线二：

TFFC芯片+量子点/KSF红光（QD/KSF+蓝光InGaNLED）,采用印刷、喷涂、打印等技术，在蓝光LED表面放置QD或者KSF荧光粉得到红色的LED。

TFFC、FC与Micro芯片对比（实现P0.6以下间距显示）：

用Micro芯片技术的约70%去实现Mini显示，降低了技术难度，同时可以让4k、8k超高清显示的LED芯片成本大幅度降低，大量量产有机会在2年内实现。

02

硅基Mini LED芯片进展

晶能硅基Mini LED 产品量产规划：

4K、8K Mini超高清显示大屏在5G技术的驱动下势不可挡，晶能硅基Mini LED芯片技术路线有机会提供一个超高性价比光源解决方案。

03

硅基Micro LED芯片展望

MicroLED预研：

世界范围内主流Micro的研究方向还是以硅衬底GaN  LED去衬底技术路线为主，由于硅衬底GaN与硅半导体晶圆的物理兼容性，可以最大效能利用晶能现有资源，同时避开巨量转移问题，公司优先着力Micro LED微显示研究，应用AR/VR/HUD/HMD等方向。

硅基GaN与硅基CMOS驱动电路进行晶圆级邦定，去除硅衬底后在CMOS晶圆继续GaN芯片工艺。

研发路线：先单色，后全彩。

晶能光电简介

晶能光电成立于2006年2月，是专注于大功率LED芯片、器件和第三代半导体GaN材料开发与生产的高科技企业。 晶能光电在硅衬底GaN技术领域已耕耘近二十载，在全球率先实现硅衬底GaN技术在LED领域的产业化和市场应用，开创了全球第三条蓝光LED技术路线，在全球申请或拥有420多项专利，其中硅衬底GaN基蓝光LED技术获得2015年度国家技术发明奖一等奖。同时，公司凭借硅衬底GaN材料技术优势，在硅衬底Micro LED和GaN HEMT的材料研究领域具有深厚积淀。 公司拥有国际化的技术团队和管理团队，具备持续创新的、先进的大规模生产制造和管理能力。公司将秉承创新和本分的基因，致力于为全球消费者提供全方位的高端LED照明、微显示和GaN器件的产品和解决方案。

编辑：hfy