《炬丰科技-半导体工艺》金属氧化物半导体的制造

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书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:金属氧化物半导体的制造

编号:JFKJ-21-207

作者:炬丰科技

概述

CMOS制造工艺概述  

CMOS制造工艺流程  

设计规则  

互补金属氧化物半导体工艺

1.CMOS晶体管是在硅片上制造的  

2.平版印刷的过程类似于印刷机  

3.每一步,不同的材料被存放或蚀刻  

4.通过查看顶部和顶部最容易理解文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁简化制造中的晶圆截面的过程  

逆变器截面  

要求pMOS晶体管的机身  

金属氧化物

逆变器掩模组

晶体管和电线是由掩模定义的  

沿虚线拍摄的横截面  

金属氧化物

详细操作的观点        略

加工设备           略

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