《炬丰科技-半导体工艺》 HQ2和HF溶液循环处理

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：HQ2和HF溶液循环处理

编号：JFKJ-21-213

作者：炬丰科技

摘要

采用原子显微镜研究了湿法化学处理过程中的表面形貌。在SC-1清洗过程中，硅表面的粗糙度大大增加，这将导致质量文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁差栅氧化层击穿性能。 SC-1清洗后的硅片粗糙度降低，采用双氧水溶液和氢氟酸溶液循环处理，而不是只用hf清洗。

介绍  

硅超大规模集成电路技术要求超净硅表面具有特征，即无污染物、无氧化物、微粗糙度等。 最近最先进的金属氧化物半导体器件现在要求的厚度为100a。

实验 

硅表面粗糙度的均方根值 清洗步骤  

略

结果与讨论