《炬丰科技-半导体工艺》III-V的光子学特性

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书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:III-V的光子学特性

编号:JFKJ-21-215

作者:炬丰科技

摘要  

   III-V型半导体纳米线已显示出巨大的潜力光学、光电和电子器件的构建模块。电子和光子沿纳米线的特殊横向文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁约束轴。 此外,半导体纳米线具有亚波长结构表现出强烈的光学米氏共振,是理想的实现平台新型光学器件,如极端太阳能吸收器和宽带光捕获设备。

半导体纳米线形成与应用的历史回顾  

GaSb纳米线的制备与表征  

掺杂的GaSb ,B衬底上制备GaSb纳米柱 。 在蚀刻前,GaSb晶圆样品的尺寸约为0.6厘米× 0.6 cm用丙酮漂洗,异丙醇溶液漂洗5分钟后吹干。

光子光子
 

光子

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