今日头条
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:III-V的光子学特性
编号:JFKJ-21-215
作者:炬丰科技
摘要
III-V型半导体纳米线已显示出巨大的潜力光学、光电和电子器件的构建模块。电子和光子沿纳米线的特殊横向文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁约束轴。 此外,半导体纳米线具有亚波长结构表现出强烈的光学米氏共振,是理想的实现平台新型光学器件,如极端太阳能吸收器和宽带光捕获设备。
半导体纳米线形成与应用的历史回顾
GaSb纳米线的制备与表征
掺杂的GaSb ,B衬底上制备GaSb纳米柱 。 在蚀刻前,GaSb晶圆样品的尺寸约为0.6厘米× 0.6 cm用丙酮漂洗,异丙醇溶液漂洗5分钟后吹干。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !