50余款达国际一流水平的国产SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及应用DEMO即将亮相PCIM展

　　据2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM展）主办方公布的信息，第三代半导体设计和方案商派恩杰半导体已确定参展，展位号E43。

　　成立于2018年9月的派恩杰半导体，目前已是国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。2019年3月，派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS，填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS，应用于电动汽车电驱单管及模块。经第三方机构&全球一线客户实机测试验证， 其SiC肖特基二极管具备高浪涌电流耐量和更低的VF，保证安全性能同时降低损耗，其SiC MOS HDFM 值优于行业水平50%以上，具备更小的损耗，更优的综合性能。

　　据派恩杰方面介绍，此次PCIM展，派恩杰将携50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件亮相。同时将会向现场观众展示其最新的高压工业辅助电源、SiC MOSFET动态性能评估板、SiC MOSFET Buck/Boost评估板、Totem-Pole PFC DEMO等。目前，这些产品在海内外都已经被一些一线客户导入使用。