场效应晶体管BTS3410G参数的详细讲解

BTS3410G是集智能SIPMOS技术制造而成的N沟道垂直功率场效应晶体管FET，低压侧、2路输出、输入电压10V、电流极限7.5A、封装类型SOIC-8，来自国际品牌英飞凌（Infineon）。接下来重点详述BTS3410G场效应晶体管FET的特性、参数、应用，带您走进BTS3410G的“世界”！

BTS3410G场效应管特性

逻辑电平输入

自动重启热开关

符合ROHS标准

过载、短路、过电压、ESD保护

电流限制

模拟驱动

BTS3410G场效应管参数

Drain source voltage漏源电压：42V

on-state resistance导通状态电阻：200mΩ

Nominal load current额定负载电流：1.3A

Clamping energy钳位能量：150mJ

Automobile quality standard汽车质量标准：AEC-Q100

Power dissipation功耗：0.8W

BTS3410G场效应管应用

适用于开关或线性应用中的各种阻性、感性和容性负载；

μC兼容电源开关，适用于12V DC应用；

取代机电继电器和分立电路

想了解更多有关场效应晶体管BTS3410G信息，可向我们索取规格书。关于BTS3410G这个料，每天都有许多新老客户前来东沃电子询价、现货、交期等方面的问题。为此，为客户配套成为了东沃电子的日常。由于渠道优势，东沃电子能够第一时间调到货、交期迅速、原装正品、现货库存，欢迎广大客户前来询BTS3410G场效应晶体管。

fqj