VN1=I2ZG为电源I2流经地平面阻抗ZG而在1号电路感应的噪声电压。
屏蔽效能SE(dB)=反射损耗R(dB)+吸收损耗A(dB)高频射频屏蔽的关键是反射,吸收是低频磁场屏蔽的关键机理。
接地点选在放大器等输出端的地线上。
其中Cmin≈ΔIΔt/ΔVmax,ΔVmax一般取2%的干扰电平。注意减小电容引线电感,提高谐振频率,高频应用时甚至可以采取四芯电容。电容的选取是非常讲究的问题,也是单板EMC控制的手段。 7 其它 单板的干扰抑制涉及的面很广,从传输线的阻抗匹配到元器件的EMC控制,从生产工艺到扎线方法,从编码技术到软件抗干扰等。 一个机器的孕育及诞生实际上是EMC工程。最主要需要工程师们设计中注入EMC意识。
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