非易失性存储器MR25H40VDF概述及优点

Everspin非易失性存储器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。它提供标准的8引脚Small Flag DFN。可直接替代SPI-FRAM 8引脚塑料SOP封装。与其他串行存储器替代品相比SPI MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及简单，可靠的数据保留。

MR25H40VDF的优点

•更快的随机访问操作时间（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）

•高可靠性和数据保留（在125℃工作温度下超过20年）

•无限读/写耐久性

•无磨损问题

•掉电时的自动数据保护

•竞争定价

•稳定的制造业供应链

MR25H40VDF对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，是理想的内存解决方案。具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，使用MR25H40VDF，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。

everspin是设计制造和商业运输分立和MRAM和STT-MRAM的全球领导者，面向数据持久性和应用程序的市场和应用。完整性、低延迟和安全性至关重要。Everspin 在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为全球 MRAM 用户奠定了最强大、增长最快的基础。Everspin是设计制造MRAM到市场和应用的翘楚，在这些市场和应用中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性是至关重要。

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