季丰电子新增应用在MOS等高压IV Curve和高压热点定位

季丰电子新增加高压IV Curve和高压热点定位，主要应用在MOS，SiC，IGBT等高压产品的失效分析，IV Curve扫描电压范围在±3000V，通过IV Curve好坏品对比，我们可协助判断坏品是否有异常，一般的失效模式为：Short，Open，Leakage，High resistance，找到异常的条件后再进行下一步的热点定位分析。

热点定位机台有InGaAs，OBIRCH，Thermal三种，均可通过IC正面或背面进行定位，找出缺陷位置，目前InGaAs&OBIRCH最高电压可达到3000V，而Thermal可进行非破坏定位，协助判断是封装异常还是IC异常。

热点定位机台主要应用为：

高压定位原理：

（a） IC frondside 影像+OBIRCH ；（b） OBIRCH signal

（a） IC frondside 影像+InGaAs ；（b） InGaAs emission

编辑：jq