器件噪声的影响在纳米级 CMOS 工艺中极为关键,因为它在根本上制约了许多 45 nm 及以下工艺电路的性能。使用正确的工具,器件噪声分析 (DNA)将是一个相当简单的过程,并且仿真结果与硅片测量结果只有 1 - 2 dB 的误差。但有几种常见的错误可能导致严重高估或低估器件噪声的影响,进而造成严重的过度设计和设计不足。
DNA 有三种基本类型。瞬态噪声分析是一种适用于所有电路类型的统计时序方法。瞬态噪声分析也是唯一适用于非周期性电路的器件噪声分析。对于周期性驱动电路(例如电荷泵和开关电容滤波器)而言,周期噪声分析通常要比瞬态噪声分析快得多,并且能够提供更全面的诊断信息。同理,对于周期性自激电路而言,振荡器
噪声分析通常要比瞬态噪声分析快得多,并且能够提供更全面的诊断信息(例如器件贡献和灵敏度分析)。由于瞬态噪声分析适用于所有电路类型,因此它可提供一种有效的方法来对周期性电路和振荡器进行交互检查。如果使用得当,上述所有方法得到的结果和硅测量结果的误差都只在 1 - 2 dB 以内。
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编辑:jq
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