SK海力士成功开发出业界第一款HBM3 DRAM 内存芯片

韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片，可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽，每秒处理819GB的数据，相比上一代速度提高了78%。

HBM3 DRAM内存芯片将搭载高性能数据中心可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，可以显著提高人工智能、机器学习运算的性能，并且也提升了专用计算加速卡单片容量以及带宽的性能。

SK海力士的首款HBM3将会以16GB和24GB两种容量上市。早在去年，SK海力士就已经首次实现批量生产HBM2E DRAM，可以提高人工智能完成度的机器学习和分析气候变化工作。

SK 海力士成功开发业内首款 HBM3 DRAM巩固了自身在高端内存市场的领导地位，满足客户们的日常发展需求。
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