英特尔与美光试制50纳米NAND闪存

美光科技公司(MicronTechnology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nil])制程技术的NAND闪存，这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通过IM闪存技术公司(IMFlashTechnologies)制造，该公司为美光科技公司与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制4Gb设备，计划2007年开
始大规模生产多种容量密度的50纳米产品。

英特尔公司与美光科技公司将通过向5O纳米制程技术转移来满足对更高密度NAND闪存日益增长的需求，该产品可广泛用于计算和消费电子应用，如数字音乐播放器、移
动存储及手持通信设备等。

今年，美光科技公司与英特尔公司共同创办了IM闪存技术公司(IMFT)，为双方制造NAND闪存产品。自公司创办以来，IMFT已大规模加强生产设备。美光科技公司目前通过它在博伊西的制造工厂为IMFT供应NAND闪存，而且美光科技公司位于弗吉尼亚州马纳萨斯的300毫米工厂将在今年晚些时候投入生产，届时将为IMFT供应NAND。