耐写次数达100万次的相变存储器实现量产

相变存储器（Phase Change Memory，PCM)是一种新兴的非易失性存储器技术。PCM存储单元是一种极小的GST（锗、锑和碲）硫族化合物颗粒，通过电脉冲的形式集中加热的情况下，它能够从有序的晶态（电阻低）快速转变为无序的非晶态（电阻高得多）。高电阻的非晶态用于表示二进制数0，低电阻的晶态表示1，在非晶态与晶态之间转变完成数据的存储，通过测量GST电阻实现数据读取，通过电流给GST加热(焦尔效应)，实现数据的写入。PCM产品通过相变原理存储数据，相较于传统的NOR及NAND存储器，PCM能以较低的功耗实现极快的读写速度，并且具备在RAM中才可实现的位可变性 (bit alterability)。

相变存储概念自提出以来，经过了几十年的发展，始终没有商业化的产品问世。前不久，恒亿公司宣布量产基于相变存储技术的新产品Numonyx Omneo相变存储器，并已向市场供货。

据恒亿公司介绍，Numonyx Omneo相变存储器具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于有线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身，一颗存储器芯片即可实现多种新功能。其写入速度有望达到现有闪存的300倍，耐写次数达到10倍。

恒亿本次推出的新产品包括支持串行外设接口（SPI）的存储器(Omneo P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存储器(Omneo P8P PCM)。两种接口产品都充分利用新的PCM技术优势，同时兼容工业标准的串行接口和并行接口。其中，Omneo P5Q PCM是一款90nm相变存储器。Omneo P5Q的耐写次数达到100万次，可写数据的量次是闪存的10倍。