高增益50W GaN HEMT功率放大器

Toshiba推出C-BAND SATCOM应用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，东芝美国电子元器件公司推出其功率放大器产品系列中的50W C频段氮化镓(GaN)半导体高电子迁移晶体管(HEMT)。

Toshiba 的50W TGI7785-50L是另一个商业C-频段用的GaN HEMT，用于卫星通信应用中，在去年推出的还有120W C-频段放大器，和其它GaN Toshiba Ku-频段器件。

该新器件工作频率为7.7 GHz~8.5 GHz。RF性能规范包括输出功率为47.0dBm (典型值) 以及输入功率为40dBm，线性增益为11.0dB (典型值)，以及漏极电流为5.0 Amps（典型值）。

该器件可提高输出功率，有助于在固态功率放大器(SSPA)中减少尺寸和重量，用于SATCOM中。

技术规范50W TGI7785-50L GaN HEMT

产品型号 TGI7785-50L 频率 7.7 - 8.5 GHz 输出功率（典型值） 47.0dBm 线性增益（典型值） 11.0dB 漏极电流, VDS/IDS(典型值.) 24V/ 5 A 效率 33% 封装 7- AA0 4 A

价格和供货情况

现可提供TG I7785-50L样品，批量生产预计于2010第三季度，欲获得产品的详细价格，请联系Toshiba代理。