SiT8920：1 - 110MHz任意频率-55℃ ~ +125℃抗冲击宽温振荡器

关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及，让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势，SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心，为用户提供免费样品申请，小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务，更多信息请访问www.sitimechina.com，客户服务热线400-888-2483。

SiT8920是一款专注超宽温、恶劣环境下的坚固可靠的单端MEMS抗冲击宽温振荡器。由于其独特的硅MEMS和模拟电路设计，SiT8920在多个主要性能类别超越石英振荡器。虽然是在-55°至+125°的宽广温度范围内工作，SiT8920的功耗为石英振荡器的一半，稳定性却是后者的两倍。SiT8920在总体器件可靠性和抗冲击和振动性能方面，更分别提高了20倍和30倍。

SiT8920拥有0.1ppb/G振动灵敏度（G-sensivity），50kg冲击和70g抗振动以及10亿小时平均无故障时间。SiT8920集成了SiTime独特的SoftEdge 上升/下降时间控制，可在无需额外电路元件、增加昂贵的屏蔽罩、或重新设计PCB的前提下降低系统EMI。

这些重要特性大大地提高了系统性能，减少电子产品在恶劣环境中的故障，成为机车控制，油田、矿山、航天军工等恶劣工况电子控制的首选时钟源。

SiT8920选型参数

振荡器类型：抗冲击宽温振荡器

频率：1MHz - 110MHz任意频率，可精确到小数点后6位

频率稳定性：±20ppm、±25ppm、±50ppm

相位抖动（rms）：1.3ps

输出类型：LVCMOS

温度范围：-55℃ ~ +125℃

电源电压：1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、2.25V ~ 3.63V宽压

封装尺寸：2.0mm x 1.2mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

SiT8920特点

1 到 110 MHz 之间的任何频率，精度为 6 位小数

稳定性低至 ±20 ppm

军用温度范围：-55℃ ~ +125℃

1.8 V 、 2.5 V ~ 3.3 V 电源电压

自定义规格以获得最佳系统性能

对许多设计使用相同的基本设备，减少认证需求    

0.6 µA 典型待机电流 (1.8 V)

3.5 mA 典型有源电流 (1.8 V)

延长便携式应用中的电池寿命

降低绿色系统的功耗

FlexEdge™ 可配置驱动强度

更慢的上升/下降时间，最大限度地减少来自振荡器的 EMI

通过驱动多个负载并消除额外的时序组件来节省成本

超快交货时间

减少库存开销

降低短缺风险

SiT8920应用

关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及，让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势，SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心，为用户提供免费样品申请，小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务，更多信息请访问www.sitimechina.com，客户服务热线400-888-2483。