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STM32F103：内部Flash模拟EEPROM

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:0.05 MB | 2021-12-02

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内部Flash模拟EEPROM一、原因由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。我决定利用单片机的内部Flash模拟EEPROM，实现可以多次擦写，掉电又可以保存数据的功能。二、原理1. STM32F103系列芯片按内部Flash的容量大小，分类如下：型号容量(字节)页(字节)启动程序stm32f103X6(小容量)32K1Kstartup_stm32f10x_l.
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