芯片工艺制程的几个阶段

　　芯片的制程从最初的0.35微米到0.25微米，后来又到0.18微米、0.13微米、90nm、65nm、45nm、32nm和14nm。在提高芯片工艺制程的过程中，大约需要缩小十倍的几何尺寸及功耗，才能达到10nm甚至7nm。

　　在工艺分类上，芯片主要分两大类：

　　·HP（High Performance）：主打高性能应用范畴;

　　·LP（Low Power）：主打低功耗应用范畴。

　　满足不同客户需求，HP 内部再细分 HPL、HPC、HPC+、HP 和 HPM 五种。

　　HP 和 LP 之间最重要区别就在性能和漏电率上，HP 在主打性能，漏电率能够控制在很低水平，芯片成本高;LP 则更适合中低端处理器使用，因为成本低。

　　所以，芯片除了在制程上寻求突破，工艺上也会逐步升级。

　　芯片制造的整个过程包括芯片设计、芯片制造、封装制造、测试等。芯片制造过程特别复杂。

　　芯片制造过程有这么几个阶段：材料制备——单晶硅制造→晶圆片生成芯片前端——芯片构建（Wafer Fabrication）芯片后端——封装（Package）→完整测试（Initial Test and Final Test）

　　新智造，电子产品世界网络综合整理

　　责任编辑：李倩