自举电容及栅极限流电阻的选取

电源/新能源

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描述

自举电路也叫升压电路,是利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高,其中有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。

佳恩IGBT单管

自举电容是由一个大电容和一个小电容并联构成,在频率为20KHz左右的作业状态下选用1uF的电容和0.1uF的电容进行并联运用。并联高频小电容用来吸收高频毛刺干扰电压,且主电路管上的驱动电压波形峰顶不应出现下降的现象。因此在驱动大容量的IGBT器件时,在工作频率较低的状况下要时刻留意自举电容电压的安稳性问题,而且应选用较大容量的电容。

挑选恰当的栅极限流电阻对IGBT驱动来说恰当首要,因为IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的,所以栅极电阻将会对IGBT的动态特性产生极大的影响。

一方面,数值较小的栅极电阻使得栅极电容的充放电加快,同时减小开关时刻和开关损耗。同时数值较小的栅极电阻不仅增强了IGBT器材的耐固性,而且可以防止du/dt所带来的误导通,但与此同时它只能承受较小的栅极噪声,并致使栅极-发射极之间的电容同驱动电路引线的寄生电感发生振动。

另一方面,较小的栅极电阻还使得IGBT开通时di/dt变大,从而导致较高的du/dt,增加了反向恢复二级管的浪涌电压。在低频应用状况下,开关损耗不成为一个重要的考虑要素,栅极电阻增大可以提供较慢的开通速度,这时应当思考栅极的瞬态电压和驱动电流。对于不同容量的IGBT,其栅极限流电阻有不同的取值。通常是功率越大的IGBT的栅极电阻越小,同时对栅极驱动电路的布线也有严格的要求,引线电感应尽可能小。在实际应用过程中应根据具体的情况状况作调整,从而选取最合适的值。
  综上所述,选用自举驱动电路设计IGBT驱动电路时,应根据具体的应用情况采用不同的抗干扰措施。

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