电子实验
外加反偏电压于结内电场方向一致,当pn结及其附近被光照射时,就会产生载流子(即电子-空穴对)。结区内的电子-空穴对在势垒区电场的作用下,电子被拉向n区,空穴被拉向p区而形成光电流。同时势垒区一侧一个扩散长度内的光生载流子先向势垒区扩散,然后在势垒区电场的作用下也参与导电。当入设光强变化时,光生载流子的浓度及通过外回路的光电流也随之发生相应的变化。这种变化在入射光强很大的动态范围内仍能保持线性关系。
对于外加正向电压,I随V指数增长,称为正向电流;当外加电压反向时,在反向击穿电压之内,反向饱和电流基本上是个常数。对于硅光二极管来说,其伏安特性可表示为
式中是流过硅光电二极管的总电流,是反向光电流,S是电流灵敏度,P是入射光功率,因硅光二极管是反向偏压工作,故上式可简化为
硅光电二极管的伏安特性曲线相当于把普通二极管的伏安特性曲线向下平移。其实际伏安曲线如图1.1.1-3所示。在工作反偏压一定的情况下,从图1.1.1-3可以绘出与入射光强的关系曲线,如图1.1.1-4
式中I为光电流,P为光功率,是光电转换因子,e为电子电荷,h为普朗克常量,v为入射光频率,为量子效率。从上式可知。
n 自己设计一套电路装置,测量光电二极管的量子效率。
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