GaAs MMIC 低噪声放大器MGA-633P8性能分析

其关键特征主要体现在以下几方面：

● 超低噪声系数: 0.37dB @900MHz

● 高线性: 37dBm OIP3@900MHz

● 增益: 18dB@900MHz

● 输入回波损耗: 15dB@900MHz

● 1dB增益压缩点输出功率: 22dBm@900MHz

● 5V单电源供电典型54mA低功耗: 270mW

● 器件采用MGA-63xP8系列通用封装尺寸和外围匹配电路,简化了印刷电路板设计和生产

● 采用特有工艺：0.25μm GaAs增强模式pHEMT

● 提供卷带式封装选择

● 操作温度范围为 -25℃至+85℃。

● 采用 Pb-Free 环保无铅设计并符合 RoHS 标准要求

MGA-633P8 使用了 Avago 特有的 GaAs 增强模式 pHEMT 工艺来取得具备超低噪声指数的高增益。 2.0mm x 2.0mm x 0.75mm 的紧凑 8-pin QFN 封装，并采用共通印刷电路板布局设计，MGA-633P8 在设计上可以帮助 450MHz 到 2,000MHz 频带工作的无线通信应用取得卓越的性能，设计工程师可以利用这款有源偏置低噪声放大器来开发更加紧凑具备更多功并且能满足设计工程师需求的新一代移动通信应用。紧凑的薄型尺寸和引脚设计安排搭配上低噪声、高增益和高线性，MGA-633P8 是线路终端设备、GSM、CDMA、WCDMA、CDMA2000 和 TD-SCDMA 移动通信基础设施应用的理想选择。