GaN功率器件供应商聚能创芯与世强达成战略合作

与Si元器件相比，GaN具有高击穿电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，可大幅提升器件与系统的功率密度、工作频率与能量转换效率，随着5G通信和新能源汽车的迅猛发展，GaN快充技术也随之受到关注。

GaN功率器件产品和技术解决方案供应商聚能创芯推出纯国产技术30W~120W氮化镓PD快充方案，涵盖热门的30W单口，65W三口，100W单口和120W四口，并可根据客户需求定制，其中120W四口PD快充采用PFC+LLC架构，次级同步整流，输出固定电压。多口输出采用二次降压方案，实现接口独立快充和功率智能分配。聚能创芯下设全资的GaN外延公司聚能晶源，与政府合作设立GaN晶圆制造公司聚能国际，产品线还包括GaN功率器件，电压为650V，导阻55~350mΩ，封装PQFN8*8mm，开关速度快，减小无源器件需求，耐高温抗辐照。 

11月1日，聚能创芯与世强达成战略合作，授权世强全线代理旗下GaN功率器件和GaN外延片等产品，聚能创芯产品等相关资料已在世强硬创平台上线。

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原文标题：提供GaN功率器件产品和技术解决方案，聚能创芯签约世强

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审核编辑:汤梓红