光刻机制作芯片过程

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描述

光刻机制作芯片过程如下操作:

1.硅片表面清洗烘干

2.涂底

3.旋涂光刻胶

4.软烘

5.对准曝光

6.后烘

7.显影

8.硬烘

9.刻蚀

光刻机制作芯片过程非常复杂,而光刻机是制造芯片最重要的设备之一,由于先进光刻机的技术封锁,中国芯片厂商的芯片制作工艺目前比较落后,也没有优秀的国产光刻机来掌握到最先进的光刻技术。

目前我国主要依赖大量的芯片进口,在加工芯片的过程中,光刻机起着非常重要的作用。但是光刻机的制造难度很大,荷兰ASML公司在全球的高端光刻机市场上占据的份额已经达到了80%。

值得一提的是,中芯国际开始研制14nm芯片制程工艺,我国在半导体行业正在慢慢面向全球发展。

  本文综合整理自秘数 半导体芯情 电影调查院
  审核编辑:彭菁
 
 
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