4KBit I2C铁电存储器MB85RC04V的特点

富士通型号MB85RC04V是一款FRAM芯片，位宽为512字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC04V能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。MB85RC04V使用的非易失性存储单元的读/写寿命提高到至少1012个周期，在数量上明显优于其他非易失性存储产品。MB85RC04V铁电存储器在写入存储器后不需要轮询序列，例如闪存或E2PROM的情况。

特点

•位配置：512字×8位

•两线串行接口：完全由两个端口控制：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）。

•工作频率：1MHz（最大）

•读/写耐久性：1012次/字节

•数据保留：10年（+85℃）、95年（+55℃）、超过200年（+35℃）

•工作电源电压：3.0V至5.5V

•低功耗：工作电源电流90μA（Typ@1MHz），待机电流5μA（典型值）

•工作环境温度范围：−40℃至+85℃

•封装：8-SOP RoHS合规

I2C（内部集成电路）

MB85RC04V具有两线串行接口；I2C总线，作为从设备运行。I2C总线定义了“主”和“从”设备的通信角色，主端拥有启动控制的权限。此外，I2C总线连接是可能的，其中单个主设备连接到多台从属设备以组线配置。在这种情况下，需要为从设备分配一个唯一的设备地址，主设备在指定从设备通过地址进行通信后开始通信。

FRAM是一种非易失性铁电存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。富士通FUJITSU代理英尚微可提供产品测试及技术支持。

审核编辑：符乾江