用于替换IS62WV51216EBLL-45TLI的国产SRAM芯片

IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。

采用高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选引脚和输出使能引脚，可以简单实现存储器扩展。IS62WV51216EBLL-45TLI采用 JEDEC 标准44TSOP2封装。

我司介绍一款可用于替换IS62WV51216EBLL-45TLI的国产SRAM芯片，EMI伟凌创芯8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL16VM-55I采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽512K*16，电源电压为2.7V~3.6V，支持工业温度范围和芯片级封装，以实现系统设计的用户灵活性。该系列还支持低数据保留电压1.5V（Min.），用于以低数据保留电流进行电池备份操作。

采用标准44TSOP2封装形式。代理商英尚微电子提供免费样品测试及技术支持。

low power sram主要是指低功耗SRAM存储器，应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品，作为静态随机访问存储器的一种类别，静态随机访问存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。

审核编辑：符乾江