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IGBT是电力电子装置的CPU,在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中,IGBT模块更为重要。但是,IGBT模块会经常出现爆炸的情况。
因为某些原因,模块的损耗十分巨大,热量散不出去,导致内部温度极高,产生气体,冲破壳体,这就是所谓的IGBT爆炸。下面,对IGBT爆炸的原因进行简明扼要的介绍。 IGBT爆炸原因主要围绕内部因素、人为因素、常见因素、其他因素四方面。
1、内部因素: 从爆炸的本质是发热功率超过散热功率,内部原因应该就是过热。
2、人为因素: 进线接在出线的端子上;变频器接错电源 ;没按要求接负载。
3、常见因素: 过电流:一种是负载短路,另一种是控制电路处逻辑受干扰,导致上下桥臂元件直通。 绝缘的损坏 过电压:通常是线路杂散电感在极高的di/dt作用下产生的尖峰电压而造成,解决的办法就是设计高性能吸收回路,降低线路杂散电感。 过热:IGBT不能完全导通,在有电流的情况下元件损耗增大,温度增加导致损坏。 通讯误码率:通讯一段时间后,突然的错误信息导致IGBT误导通使IGBT爆炸;通讯板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导通使IGBT爆炸。
4、其他因素: 电路中过流检测电路反应时间跟不上。 IGBT短路保护是通过检测饱和压降,而留给执行机构的时间一般是10us(8倍过流)在上电的时候容易烧预充电电阻和制动单元里的IGBT。 工艺问题:铜排校着劲、螺丝拧不紧等。 短时大电流:原因也有很多,比如死区没设置好、主电路过压、吸收电路未做好。 驱动电源也是个应该特别注意的问题,该隔离加隔离、该滤波加滤波。 电机冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸。但对于充电时爆炸的情况发生的概率不是很大。 电机启动时,输入测电压瞬间跌落,电容放电。输入测电压恢复后电容充电时的浪涌电流过大致使IGBT爆炸。
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审核编辑:汤梓红
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