泛林集团的选择性刻蚀设备组合正在推进芯片行业下一个重要的技术拐点

　　作者： 泛林集团总裁兼首席执行官 Tim Archer

　　在过去的十年里，对于体积更小、密度更高、性能更强大的芯片的需求一直在推动半导体制造商从平面结构向越来越复杂的三维（3D）结构转型。原因很简单，垂直堆叠可以实现更高的密度。

　　使用3D架构来支持先进逻辑和存储器应用代表了半导体行业下一个重要的技术拐点。非易失性存储首先实现了这一技术拐点，泛林集团的刻蚀和沉积工具持续走在这一创新的前沿。芯片制造商正在积极努力，争取在未来12-24个月内将逻辑器件的结构转型到环栅（GAA） ，并将目光放在3D DRAM上。

　　如今，GAA已被广泛认为是先进逻辑器件中finFET结构的的替代品，它的设计可以支持下一代及以后世界上最强大的处理器。在这种改进的晶体管结构中，栅极360度环绕接触沟道，以实现持续微缩。GAA晶体管的载流能力是通过纳米片或纳米线的垂直堆叠结构、并让栅极材料包裹通道来增加的。纳米片的尺寸可以微缩，这样晶体管的大小就可以根据所需的应用来调整。

　　GAA在概念上可能很简单，但如此结构的器件却给半导体制造带来了巨大的挑战。有些围绕着结构的制造展开，另一些则涉及到实现微缩目标所需的新材料。其中主要的挑战在于，构建复杂的结构时，必须铺设不同的层，并在之后的步骤中移除其中某些特定元素，比如以原子级的精度移除SiGe。

　　为了应对这些挑战，我们认为早期的选择性刻蚀方法已经无法满足需求，需要新的工艺和能力来构建更高密度、更高和更强大的结构。选择性一直是刻蚀工艺的重要属性，然而，创建能够驱动未来数字技术和设备的先进3D架构需要原子级别的超高选择性和精确度来制造非常复杂的晶体管结构。

　　泛林集团不断创新，助力芯片行业为实现3D架构的下一次飞跃而努力。通过与客户密切合作，我们开发了一套最前沿的全新选择性刻蚀设备，可支持下一代先进逻辑器件的开发，不久还将用于3D DRAM等先进存储器应用程序的开发。

　　我们很自豪能与我们的客户携手引领3D技术的拐点，进而通过半导体技术的力量推动社会向前发展，创造一个更智能、更互联的世界。