为什么高带宽内存(HBM)能做到如此强大

当代数据中心正在依靠人工智能（AI）和高性能计算（HPC）环境来应对当今最紧迫的挑战。但无论是人工智能还是高性能计算，都必须依靠快速、高效并持续地输入大量数据才能保证它们的高峰运行。

高带宽内存（HBM）提供超带宽及可扩展的密度，同时具备低功耗的特点，处于最前沿的是HBM2E——目前世界最快的内存。 为什么HBM2E能做到如此强大呢？因为内存更接近计算。首先，更接近意味着更快速，节约毫米可能听起来不是很多，但对以纳米为尺度计量的数据来说，结果显著。其次，更接近意味着更高带宽，它使用高达1024位的超宽多通道I/O来拓展带宽和容量。再者，更接近意味着更节能，更低的功耗，这得益于内存在物理空间上紧邻计算单元。

正是由于其功能之强大，技术门槛也相对较高，需要具备深厚的高性能存储技术储备和专业团队。目前国内掌握该项高端技术的企业可以说是凤毛麟角，中国高端IP和芯片定制领导者——芯动科技则当仁不让。据悉，芯动自研的HBM3运行速率达6.4Gbps，HBM2E运行速率达3.6Gbps，支持12-high DRAM堆叠，最大支持24GB容量，支持ECC和DBI/DM功能，实现了高性能、高带宽、低功耗、低延时、小尺寸。

值得一提的是，除了最前沿的HBM3/2E，芯动科技的全系高端DDR存储接口解决方案均具备国际领先水平，曾被评为“硬核中国芯”2021年度最佳IP产品，还在2021年全球半导体设计大会（DesignCon）上一展风采。

芯动科技在高端DDR方面可以说是一骑绝尘，从DDR5（单DQ达4.8Gbps~5.6Gbps），到LPDDR5/5X（单DQ达6.4Gbps~7.6Gbps）、GDDR6（单DQ达16Gbps）乃至GDDR6X（单DQ达21Gbps）、HBM3.0（单DQ达6.4Gbps），均包含PHY和控制器IP，全面支持JEDEC各标准，做到了一站式覆盖，这在全球都是绝无仅有的。

该技术还具备高性能、高带宽、低功耗、低延时、小尺寸、可扩展设计等特征，做到各主流FinFET先进工艺全覆盖，支持一站式集成和多样化定制，是全球覆盖面最广、业界最顶尖的DDR系列技术，堪称DDR领域的天花板，已一站式赋能高性能计算、多媒体&汽车电子、IoT物联网等多个平台。

　　审核编辑：汤梓红