三维硅MEMS结构的灰阶微加工 光刻和深反应离子蚀刻

摘要

微机电系统中任意三维硅结构的微加工可以用灰度光刻技术实现以及干各向异性蚀刻。

在本研究中，我们研究了深反应离子蚀刻（DRIE）的使用和蚀刻的裁剪精密制造的选择性。

对硅负载、O2阶跃的引入、晶圆电极功率和晶圆温度进行了评估并被确定为在DRIE中粗控刻蚀选择性的有效方法。 非均匀性和表面粗糙度特性评估并发现，当3D剖面转移到硅上时，蚀刻选择性已成比例。 一个micro-compressor使用灰度光刻和DRIE演示，表明蚀刻选择性可以成功地为特定的应用定制。©2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

介绍

开发三维微结构的能力是伟大的对提高光电和机电的重要性设备的性能。 以前的技术使用多个直接书写步骤，多重光刻步骤，或定制的设备［1 - 5］。 然而，这些技术限于有限范围的形状，或不uti［1］lize批处理过程。 灰度技术已经出现能够开发任意的三维微结构在各种材料中［6-9］。 使用灰度技术使硅的三维成形在一个单一的光刻步骤与随后的干蚀刻。

审核编辑：符乾江