DS1330 256k非易失(NV) SRAM

缓冲/存储技术

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描述

  DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外,DS1330器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

  关键特性

  在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年

  掉电期间数据被自动保护

  当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态

  电池监视器核查剩余电量

  70ns的读写存取时间

  没有写次数限制

  典型待机电流50µA

  可升级32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存

  第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态

  ±10% VCC工作范围(DS1330Y)或±5% VCC工作范围(DS1330AB)

  可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND

  PowerCap模块(PCM)封装

  表面贴装模块

  可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池

  所有NV SRAM器件提供标准引脚

  分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

  通过美国保险商实验室协会(UL)认证

DS1330

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