锐骏半导体的MOSFET封装新工艺

著名的电源半导体技术公司深圳市锐骏半导体有限公司最新推出一款MOS封装新工艺。这款TO220-S封装广泛的适用于MOSFET、高压整流器及肖特基等功率器件。

通常TO220封装有全塑封和半包金属封装两个规格。

金属封装有一片裸露的金属基导框架外漏，可以方便器件固定，扩大连接散热器，金属基导本身也是散热器，在热量不是很高的情况下使用。封装能大幅提升电源有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求更高的电路，扩展散热器面积很有效。缺点是散热片与器件漏极相连，与其它器件触碰时需要绝缘处理。

TO220-F塑封形式，内部框架、芯片、焊片全部被一体包封住，与外界隔绝。它所采用的材料是环氧树脂，这种高级环氧材料具有非常好的抗热性，防氧化性及绝缘性都非常好。我们知道应用领域多为电源高频整流环节,所以对安全性要求比较高，需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。正是这样，采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触，更好的保护电路安全。缺点是降低了管子散热性能。

有些时候需要多颗MOS、肖特基、整流管一起使用，同在一片散热器上，不是都能塑封或者塑封可以承担得了散热，这里需要加装绝缘片和胶粒固定。如图上。

锐骏半导体TO220-S结构采用高导热材料内部绝缘，具有相当金属封装优异的散热性能同时兼顾结缘性能，安装使用方便，提高了生产效率，减少结缘成本。

耐温>150℃，不会因绝缘胶粒耐温度低会融化，耐压>2000V，做到多颗管子相互可靠的绝缘，散热器安全可靠的接地而不受影响。下图是应用案例。广泛应用在电动车、电源等高压驱动期间中，有逐步取代革新现有封装形式的趋势。并获得国家发明专利。

　　审核编辑：汤梓红