pSemi公司推出完整的5G毫米波射频前端（RFFE）解决方案

多功能产品组合覆盖 24-40GHz 频段，展示了集成模块、分立波束成形及升降频转换器射频集成电路（RFIC）等技术

圣迭戈，2022年2月1日——村田旗下公司、专注于半导体集成技术的pSemi® Corporation宣布将其毫米波（mmWave）射频前端产品组合拓展至5G无线基础设施应用领域。新型管脚到管脚（pin-to-pin）兼容产品由三个波束成形器IC和两个升降频转换器组成，可以灵活地实现IC互换，在n257、n258和n260频段实现中频到射频全覆盖。这种模块化方法与片上校准和数字校正相结合，有助于系统团队简化设计周期，并快速适应不同的有源天线设计配置。该多元化产品组合可作为分立射频集成电路（RFIC）使用，也可作为Murata 28 GHz天线集成模块的一部分，采用小巧的IC外形尺寸设计，集性能、集成度和可靠性于一身。

pSemi 5G毫米波产品集成组合提供独立IC以及天线集成模块。

在智能中继器、室内基站和其他小型蜂窝应用程序的支持下，毫米波将首先在人口密集的城市地区进行主流部署，实现短距离覆盖。波束成形和有源天线系统的普及，以及人们对网络容量的需求不断增加，为SOI-CMOS技术成为先进5G系统的首选毫米波平台开辟了新的机遇。

pSemi销售和营销副总裁Vikas Choudhary表示：“自2015年以来，pSemi始终致力于提供毫米波产品，并不断深化我们在高频射频SOI设计领域的专业知识和专利组合。这些经验，再加上母公司村田的先进封装和全球制造实力，使我们能够支持更高水平的集成，简化5G毫米波产品的开发和部署。”

8通道波束成形器射频集成电路的特点和优势

每个UltraCMOS® PE188100、PE188200和PE189100 射频集成电路都在单晶片中集成了功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、移相器、波束成形器、开关和混频器，为多达1024个振子的天线阵列提供最佳的信号强度。

• 全频谱覆盖——支持n257 （PE188200）、n258 （PE188100） 和 n260 （PE189100） 频段，具有管脚到管脚（pin-to-pin）兼容性
• 灵活的天线设计——八个独立可控的射频通道，支持四个双极化或八个单极化天线单元
• 波束成形精度——在期望的误差向量幅度（EVM）方面提供线性POUT，具有较低的方均根相位误差和幅度误差，可提高天线阵列增益和天线方向性。

双通道升降频转换器射频集成电路的特点和优势

每个 PE128300 和PE129100 都在单晶片中集成了振荡器、混频器、放大器和开关，可与多达16个pSemi波束成形射频集成电路或总共128个波束成形器通道配对，以支持大规模 MIMO、混合波束成形及其他有源天线配置。

• 宽带覆盖——支持n257/n258 （PE128300） 和 n260 （PE129100） 频段，具有管脚到管脚（pin-to-pin）兼容性
• 低噪声系统设计——优化I/Q平衡调节能力，最大限度地降低本振（LO）泄漏，从而提高误差向量幅度（EVM）表现
• 低功耗——业界领先的低功耗特性，可有效降低系统散热设计要求

5G天线集成模块的特点和优势

pSemi 和村田共同打造了一款易于使用的5G毫米波天线集成模块（1QT型），该模块支持28 GHz频段。在4 x 4天线阵列中，每个模块都集成了高性能天线和带通滤波器以及pSemi波束成形器IC和升降频转换器。多个模块可以组合在一起，便于设计人员快速扩展和构建不同规模的天线阵列。

• 精密低温共烧陶瓷（LTCC）基板封装——优异的耐热性和防潮性，即使在恶劣环境下也能实现稳定的性能和热管理
• 先进的带通滤波器技术——低插入损耗和高衰减，可减少干扰，并最大限度地提升信号完整性
• 通过整机无线辐射性能（OTA）制造测试——性能已通过OTA制造测试验证，可简化开发流程