化学机械抛光(CMP)的现状和未来

摘要

几乎所有的直接晶圆键合都是在化学机械抛光的基板之间或在抛光基板顶部的薄膜之间进行的。在晶圆键合中引入化学机械抛光将使大量材料适用于直接晶圆键合，这些材料在集成电路、集成光学、传感器和执行器以及微机电系统中已经发现并将发现更多应用。

介绍

化学机械抛光 (CMP) 是一种经常用于制造高质量透镜和反射镜以及用于集成电路 (IC) 工艺的硅晶片制备的技术。自 1990 年代初以来，CMP 正成为现代亚微米 (0.35 |±m) 超大规模集成 (VLSI) 电路中层间电介质 (ILD) 平面化和/或金属层平面化的关键工艺。

DWB 中表面形态学的影响

典型的 DWB 工艺包括三个步骤：晶圆清洁、室温键合和退火。为了实现自发、无空隙的室温键合，晶片表面应该平坦、干净且极其光滑。

CMP的表面平滑度工艺

应用

晶圆键合在 IC、IO、S&A 和 MEMS 中的应用刺激了硅以外材料的键合，其中使用了广泛的材料。在大多数情况下，在应用常规键合之前，需要进行 CMP 步骤。

结论

DWB 对表面平滑度的严格要求使 CMP 成为制备适合键合的晶片表面的最佳工艺，并且可能是唯一工艺。

　　审核编辑：汤梓红