铁路、汽车、基础设施、家电等电力电子一直在与我们息息相关的生活中支持着我们。为节省能源和降低含碳量(实现脱碳),需要高度高效的电力电子技术。IGBT、SiC、GaN等次时代功率器件的存在是实现这一目标的重要一环,但一旦使用不当则会导致意想不到的不良或降低可靠性,严重时可能会因为市场不良导致召回。其中尤为重要的是直接影响可靠性的热设计。一旦发生问题,则可能会需要重新进行器件选型,修改基板布局,重新进行散热设计等,从而导致返工工时以及成本的增加。
为此,罗姆准备了一系列的应用笔记,汇总了与热设计相关的信息,将有助于提高设备可靠性,减少设计返工。应用笔记汇总了用户开发流程各阶段所需的技术信息的文档,从基础到实践性内容全方位支持客户。在此本白皮书中,将分4大步骤介绍为成功进行热设计所准备的应用笔记。点击下方图片,即可下载白皮书。
步骤 1 学习热设计的基础
步骤 2 了解所使用元器件的热特性
步骤 3 活用热仿真
步骤 4 正确进行热测量
以上四个步骤涵盖了提高应用设备可靠性、削减设计返工工时所需的相关热设计信息,您可在白皮书中查看详细内容以及相关内容参考文件。同时,针对从元器件选型到仿真、评价、基板制作等各个流程,罗姆还备有解决用户课题的最佳解决方案。通过这些内容,可以提高用户应用开发的速度,并为防止故障、不良的发生做出贡献。
除此以外,您还可以在关于第4代SiC MOSFET的相关介绍和罗姆官网的应用笔记和设计模型中下载该白皮书。
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审核编辑:汤梓红
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