研华DeviceOn/BI通过工业案例审核 罗姆SiC MOSFET发挥性能优势

罗姆第4代SiC MOSFET发挥性能优势

近日，上汽大众与臻驱科技联合开发的首款基于SiC技术的 “三合一”电桥完成试制。据悉，对比现有电桥产品，这款SiC“三合一”电桥在能耗表现方面非常抢眼，每百公里可节约0.645kW·h电能。以上汽大众在ID 4X车型上的测试结果为例，对比传统的IGBT方案，整车续航里程提升了4.5%。由此可知，SiC电桥方案的优势非常明显。但作为一种新技术，SiC电控系统还存在一些开发难点，比如SiC模块的本体设计，以及高速开关带来的系统EMC应对难题。值得一提的是，臻驱科技此次完成试制的“三合一”电桥采用的是罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片，充分发挥了碳化硅器件的性能优势。

罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。该产品用于车载主驱逆变器时，效率更高，与使用IGBT时相比，效率显著提升，因此非常有助于延长电动汽车的续航里程，并减少电池使用量，降低电动汽车的成本。

对比罗姆的第3代SiC MOSFET产品，第4代SiC MOSFET具有导通电阻更低的特点。根据测试结果显示，在芯片尺寸相同且在不牺牲短路耐受时间的前提下，罗姆采用改进的双沟槽结构，使得MOSFET的导通电阻降低了约40％，传导损耗相应降低。此外，从RDS（on）与VGS的关系图中，我们可以发现第4代SiC MOSFET在栅极电压处于+15V和+18V之间时具有更平坦的梯度，这意味着第4代SiC MOSFET的驱动电压范围可拓展至15V-18V。

NVIDIA CEO发布Hopper 架构、H100 GPU

在 NVIDIA GTC 大会主题演讲中，黄仁勋介绍了多款全新芯片，包括 Hopper GPU 架构和H100 GPU、AI 和加速计算软件以及强大的数据中心级系统。

“企业正在处理、完善他们的数据，构建 AI 软件，并逐渐成为智能制造商，”身处一个 NVIDIA Omniverse 实时 3D 协作和模拟平台上打造的虚拟环境中，黄仁勋描述了 AI 如何在各个领域“全面开花”。

Omniverse 将汇聚所有这些进步，加快人与 AI 之间的协作、更好地塑造和理解真实世界并成为新型机器人的试验场，推动“下一波 AI”的发展浪潮。

研华DeviceOn/BI通过工业案例审核

近日，工业互联网产业联盟（以下简称“AII/联盟”）公布2021工业APP应用案例评选名单，研华DeviceOn/BI设备管理及业务整合平台顺利通过审核。

DeviceOn/BI集成关键技术，通过提供实时监控、优化运营和维护管理，实现业务数字化无缝转型，为各产业提供全方位的工业物联网解决方案，提升企业竞争力。目前已成功应用在智慧水务、污/废水处理、石油化工、厂务环境设施等各个领域，提供从云+中台+端的一体化解决方案，为各领域构建数字化运维生态系统助力。

　　本文综合整理自研华 罗姆 NVIDIA

　　审核编辑：彭菁