浅谈碳化硅半导体的两大优势

与普通硅相比，碳化硅可以承受更高的电压，因此，碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局。

随着新行业和产品采用电子和半导体，设计师和制造商正在寻找改进和更智能的方法来构建这此关键元素。碳化硅(SiC)半导体不同于普通的硅半导体。当使用动力电子设备和电力系统时，它表现出有限的导热性、在某些应用中难以改变频率、低带隙能量以及更多的功率损耗然而，它也有好处。以下是碳化硅供电半导体的两大优势:

1.碳化硅可以在更高的温度下运行

全球对电子产品日益增长的需求推动了对不同类型设备在不断变化或恶劣的条件(如更高的温度)下运行的需求。

碳化硅半导体可以在200“℃或更高的温度下工作，因为其导热性比标准硅好三倍。但应该理解的是，大多数商业级半导体的推荐温度额定值为 175C。

更高的额定温度可最大限度地降低系统设计的复杂性，增强可靠性，并降低制造商的成本。系统设计人员可以在Sic半导体的帮助下使用越来越少的电容器和存储电感器，从而降低电气系统的总体成本。

2.碳化硅可以承受更高的电压

与普通硅相比，碳化硅可以承受更高的电压，因此碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局，由于零件数量较少，它还降低了制造成本。

　　审核编辑：汤梓红