飞兆半导体推出高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器FO

为了满足全球各地的能效标准要求，太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和马达驱动等工业应用的设计人员需要具备更低功耗和更快开关速度的性能更高的栅极驱动光耦合器。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为此开发出一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品FOD3184。该器件适用于工作频率高达250kHz的功率 MOSFET和IGBT的高频驱动，相比常用的FOD3120栅极驱动器，新器件的传输迟延时间缩短了50%，功耗降低了13%。

FOD3184由铝砷化镓(AIGaAs)发光二极管和集成在电路功率级中带有PMOS和 NMOS输出功率晶体管的CMOS检测器以光学方式耦合构成，PMOS上拉晶体管具有低 RDS(ON)，能够降低内部功耗和提供接近轨对轨输出电压摆幅能力。该器件具有高抗噪能力，最低共模噪声抑制比(CMR)为35kV/µs，适合嘈杂的工业应用。

FOD3184还具有15V至30V宽VCC工作电压范围 、3A最大峰值输出电流，并确保-40ºC至+100ºC的工作温度范围。还具有专为驱动IGBT而优化的带有迟滞作用的欠压锁定(UVLO)保护功能。

FOD3184采用8脚双列直插封装，提供>8.0mm的爬电距离(creepage)和电气间隙，可配合安全机构至关重要的终端应用要求。此外，封装符合无铅焊接标准对260ºC回流焊工艺的要求，FOD3184具有1,414V的额定工作电压(VIORM)，能够驱动1,200V负载，并保持长期可靠的隔离性能。

FOD3184是飞兆半导体提供同级最佳抗噪能力、更快开关速度和更高功效的全面广泛的高性能光耦合器产品系列的成员。飞兆半导体将开发更多同类型解决方案，以推动工程师的设计创新。