国星光电获“21年度广东省科技进步二等奖”

　　4月15日，广东省人民政府网发布了《广东省人民政府关于颁发2021年度广东省科学技术奖的通报》，国星光电及下属国星半导体凭借“照明通信LED外延芯片关键技术及应用”项目荣获“2021年度广东省科技进步二等奖”，也标志着国星光电在LED芯片领域技术创新和成果转化再上新台阶。

　　“照明通信LED外延芯片关键技术及应用”项目突破宽禁带半导体器件寄生电容高的技术瓶颈，开发了高低温量子阱结合生长技术以及阶梯型Si掺杂超晶格应力释放层结构，降低量子阱内应力，减少寄生电容效应，提高量子阱复合速率，提高光通信芯片的响应速度和频率。

　　在照明芯片方面采用新型Ag结构复合反射电极体系，突破现有倒装LED芯片的亮度限制，进一步提高倒装芯片的取光效率。在可靠性方面设计了一种叠对式钝化结构，提升芯片的绝缘效果，大幅提高了大功率倒装芯片的可靠性；同时引入平衡型电极体系，一方面降低封装空洞率，提高芯片和基板之间的焊接强度，另一方面提高电流扩散的均匀性，实现热量均匀分散，保证在高温大电流注入的情况下芯片依然具有很好的耐受性，提高了芯片在应用过程中的耐冲击性能力，整体项目技术处于国内领先水平。

　　目前，项目部分技术已实现成果有效转化，相关产品凭借其大功率、高亮度、高光效等优势，提高了车用照明产品的质量及可靠性，广受市场好评；同时，相关产品正逐渐向手机闪光灯、场馆照明、舞台灯、投影仪、车载HUD等高附加值领域扩大应用，市场前景广阔。

　　近年来，在广晟集团创新驱动发展战略引领下，国星光电创新实力显著提升，综合竞争力日益增强，荣膺国家科技进步奖一等奖、国家科技进步奖二等奖、国家知识产权示范企业等多项国家级、省级大奖，并入选国资委“科改示范企业”名单。

　　未来，国星光电将继续深入贯彻落实创新驱动发展战略，围绕“五新”改革发展总思路，用好“科改示范企业”政策优势，自觉履行高水平科技自立自强的使命担当，坚持面向世界科技前沿、面向经济主战场，着力提升基础研究水平，聚焦关键核心技术攻关，加速科技成果产业化，为广晟集团奋进世界500强注入强劲动能，为加快建设更高水平的科技创新强省，为我国建设世界科技强国作出新的更大贡献！

　　审核编辑：彭菁