Vishay推出非对称双通道TrenchFET功率MOSFE

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET，具有业界同类器件中最低的导通电阻，比DC-DC转换器中使用两个分立器件的方案能节省很多空间。

Vishay将在Electronica 2010的A5-143展位进行产品演示，向来宾展示在同步降压电路中该产品的优异性能和PowerPAIR封装节省空间的功效。

在PowerPAIR封装出现之前，设计者只能使用两个单独的器件来达到系统电源、POL、低电流DC/DC，以及笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机所需的低导通电阻和更高的最大电流。SiZ710DT的性能规格使设计者能用SiZ710DT比两个分立 PowerPAK 1212-8 器件小1/3，或是比两个分立SO-8 器件小2/3的一个器件完成设计，节省方案成本和空间，包括两个分立MOSFET之间的PCB间隙和标注面积。此外，在更低电流和更低电压应用中替换SO-8器件还可以提高效率。

一片PowerPAK 1212-8或SO-8的导通电阻可以分别低至5m或4m。然而，SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的效果，在10V和4.5V下的导通电阻低至3.3m和4.3m，在+25℃和+70℃下的最大电流为30A和24A。另外，高边Channel 1 MOSFET的导通电阻也有改善，在10V和4.5V下分别为6.8m和9.0m。

由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接，布线变得更加简单，同时也减小了PCB印制的寄生电感，提高了效率。此外，SiZ710DT的引脚进行了精心布置，输入引脚排在一侧，输出引脚排在另一侧。

器件通过Rg和UIS的所有测试，符合RoHS指令2002/95/EC，并满足IEC 61249-2-21的无卤素规定。

器件规格表：

通道 VDS VGS RDS(ON) @ 10 V RDS(ON) @ 4.5 V Qg (typ) ID @ TA = 25 °C ID @ TA = 70 °C

1 20 V ± 20 V 6.8 m 9.0 m 6.9 nC 16 A 15 A

2 20 V ± 20 V 3.3 m 4.3 m 18.2 nC 30 A 24 A

新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。