三星电子3nm良品率才10%-20%，大大低于预期

　　继台积电宣布今年下半年将开启3nm芯片量产之后，三星3nm制程芯片已经开始试产。

　　据报道，三星基于GAA晶体管的3nm工艺良率远低于预期，三星电子3nm制程工艺的良品率，才到10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。

　　这或许意味着公司需要更多的时间才能投入量产。所谓GAA晶体管即环绕栅极晶体管，它取代的是FinFET（鳍式场效应晶体管），前者可以实现四边充当电流通道，二者则只有三边。

　　三星本来想着通过抢占技术制高点“降维”打击台积电，没想到后者坚持在3nm使用FinFET后，结果更务实。

　　值得注意的是，在今年2月份曾有报道称，三星重要客户高通明年将推出的3nm工艺应用处理器，将交由台积电代工。

　　文章综合闽南网，人民资讯、ICGOO在线商城

　　编辑：黄飞