256Kb串行静态随机存取存储器EMI7256概述及特征

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描述

国产SRAM芯片厂商伟凌创芯EMI7256器件是256Kb串行静态随机存取存储器,内部组织为32K字,每个字8位。最大时钟20MHz,采用最先进的CMOS技术设计和制造,以提供高速性能和低功耗。该器件可在-40℃至+85℃(工业级)的温度范围内运行。封装采用TSSOP-8和SOP-8。代理商英尚微电子支持提供样品测试及相关技术支持。

EMI7256该器件采用单片选(/CS)输入进行操作,并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起用于访问该设备内的数据。该器件包括一个/HOLD引脚,允许在不取消选择器件的情况下暂停与器件的通信。暂停时,除/CS引脚外的输入转换将被忽略。

sram

特征:

·最大时钟20MHz

·SPI兼容接口(模式0和模式3)

·低功耗CMOS技术:

-工作电流:最大。2mA@1MHz

-待机电流:典型值。4uA@+25℃

·32.768x8位组织

·32字节页面

·暂停通讯的保持针

·顺序读/写

·灵活的操作模式

-字节读写(BYTE)

-页面模式(PAGE)

-Pagestart顺序模式(PSEQ)

-虚拟芯片模式(VRTM)

·无限读/写内存阵列

·温度范围

-20℃至+70℃(消费级)

-40℃至+85℃(工业级)

·符合RoHS标准的封装

安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注SRAM存储、显示驱动,接口转换芯片设计、生产及销售。公司拥有国际知名设计专家及工作经验丰富工程师研发团队,与国内知名前后道生产合作伙伴紧密合作。深挖客户应用,依托强大的研发实力,融合世界前沿的技术理念快速响应客户的变化需求,为行业客户提供高品质、低成本,供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品,产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。

审核编辑:汤梓红

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