缓冲/存储技术
DS2431是一款1024位1-Wire® EEPROM芯片,由四页存储区组成,每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中,经校验后复制到EEPROM存储器。该器件的特点是,四页存储区相互独立,可以单独进行写保护或进入EPROM仿真模式,在该模式下,所有位的状态只能从1变成0。DS2431通过一条1-Wire总线进行通信。通信采用了标准的1-Wire协议。每个器件都有不能更改的、唯一的64位ROM注册号,该注册号由工厂光刻写入芯片。在一个多点的1-Wire网络环境中,该注册号用做器件地址。
关键特性
1024位EEPROM存储器,分成四页,每页256位
独立的存储区页,可以被永久写保护或进入EPROM仿真模式(“写入0”)
切换点滞回与滤波可以在噪声下获得最佳性能
IEC 1000-4-2 Level 4 ESD保护(8kV接触模式,15kV气隙放电模式)
-40°C至+85°C,2.8V至5.25V的宽电压范围读、写操作
通过1-Wire协议以15.4kbps或125kbps单数字信号与主机通信
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