Tower发布第二代最先进65纳米BCD

　　Tower推出第二代65纳米BCD可扩展功率LDMOS，将电压扩展至24V，Rdson降低20%；并在其180纳米BCD平台上增加深槽隔离（DTI）技术，使裸片尺寸减少40%，支持工作电压高达125V

　　 Tower将在德国纽伦堡举行的2022年度PCIM会议上展示其最新的电源管理技术

　　以色列，米格达勒埃梅克，2022年5月9日——高价值模拟半导体代工解决方案的领先厂商Tower Semiconductor（NASDAQ/TASE：TSEM）今日宣布扩大其电源管理平台，发布第二代最先进的65纳米BCD，将工作电压扩大至24V，并将Rdson减少20%。公司还在其180纳米BCD平台上增加深槽隔离技术，可在高达125V的电压下将芯片尺寸减小多达40%。这些全新扩展满足了市场对更高电压和更高功率IC日益增长的需求，进一步加强了Tower在功率IC领域的领先市场地位；根据Yole Développement（Yole）的数据，到2026年，该市场规模将超过255亿美元。

　　Tower的65纳米BCD平台以其在功率性能、成本和集成竞争力方面的领先优势而被誉为同类最佳的90纳米以下BCD技术。得益于针对16V器件LDMOS Rdson的电阻率降低，以及高至24V的电压扩展，更高的功率性能和/或达20%芯片尺寸缩减让第二代65纳米BCD大幅获益。这些进步有力地满足了计算与消费市场对单片大功率转换器的需求；其中包括用于CPU和GPU的大功率稳压器，以及充电器、大功率电机驱动器，和功率转换器等应用。

　　Tower的180纳米BCD凭借在电压覆盖率、隔离方案、功率性能、裸片尺寸和掩模数方面的卓越优势，成为业界最广泛、同类最佳的平台。180纳米BCD深槽隔离方案（DTI）在单个IC内提供了更高的抗噪能力；且在高电压下具有更强灵活性，可以选择多种隔离方案，并将裸片尺寸缩小40%。所有这些战略特性都为市场上不断增加的48V系统部署带来助力；该类系统要求IC支持高达120V或更高的电压。该平台还特别满足了工业和汽车应用的要求，包括栅极驱动器、功率转换器、电机驱动器和车载48V系统，以及它们对具有多个电压域且芯片尺寸更小IC中高阶隔离的需求。
　　审核编辑：彭静