C0/C1对晶体稳定性的影响 CL对相噪和起振的影响

高精密电子仪器和通信系统的应用下，我们需要考虑不同封装(贴片/直插)的石英晶振的电性能参数变化对系统的影响，包括C0/C1, CL,RR。

C0/C1对晶体稳定性的影响

晶体的静态电容C0和动态电容C1大小，与晶片电极面积大小(体积大小)成正比，不同厂家设计C0也有差异。

同一频率C0/C1的不同会影响振荡电路的稳定性：

C0/C1大，频率上升到标称频率前电抗变大，起振快，频率难调整，但不易受外面杂散电容影响，适合高稳需求;

C0/C1小，频率变量大，易受杂散电容影响，频率温度稳定性变差，但易于CL调整频率。

KOAN晶振建议您：

先求稳后求精准度，要合理控制C0/C1范围，比如49S-25M合理范围280-310.

CL对相噪和起振的影响

负载电容CL是电路中跨接晶体两端的总的有效电容，主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。

CL大，远端相噪好;CL过大，难调整到标称频率，还容易导致回路阻抗增大，难起振;CL小，容易调整频率，近端相噪好，易起振。

KOAN晶振建议您：

随着晶体小型化发展，谐振器C0变小，我们应相应降低CL。否则会减弱晶体C0电流分流比例。

RR对振幅和激励功率的影响01

同频率晶体的体积越小RR越大，RL晶体加负载电容的谐振阻抗， RL=RR(1+C0/CL)² 。根据其大小，评估振荡电路设计振荡宽限，满足振荡电路的振幅条件和激励功率等级。

02P=I²*RL，可根据电流I的大小评估激励功率等级和匹配相应的限流电阻

I：晶体谐振时流经晶振的电流，与RR成反比

RL：等效电阻

P：实际跨在晶体上的功率。

原文标题：晶体谐振器电性能差异化应用

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　　审核编辑：汤梓红