此图是射频放大电路的示意图。该电路将射频信号放大10倍左右,输入功率为100mW,输出功率为1.3W。它使用一个通用的NPN射频晶体管2SC1970。您可以应用其他晶体管,例如 2N442。
电路原理图:
电路工程:
射频系统,特别是射频放大器,该电路对于拥有稳定的电源并确保您不会在电源线上得到任何射频非常重要。电容器 C12 和 C13 将稳定直流电源。L1、C10、C11 和 L3 与 C8、C9 也将避免射频泄漏到电力线并触发振荡或干扰。L1 和 L3 需要铁氧体扼流圈或电感约为 1 到 10 uH。
晶体管 Q1 将充当缓冲放大器,仅仅是因为我们不希望前级负载过多。
输入 RF 信号通过 C1 和 F1,这是一个小的铁氧体珍珠,电线刚刚穿过。
F1 与 C2 将作为 Q1 的阻抗匹配。
F1 可以用线圈代替 L4,但在测试过程中,发现铁氧体磁珠具有最有效的性能。
L2 不是重要组件,任何 2-10uH 的线圈都足够了。Q1 将输入信号从 50mW 放大到大约 200mW。
Q1 可以放大更多,但它不必这样做,因为 200mW 对最终晶体管来说已经足够了。
如果您需要更多功率,您可以减小电阻 R2 的值。
当您查看 Q2 时,您还会在基极到发射极处看到一个铁氧体珠 F2。这种铁氧体珠的作用是将直流电压设置为零并为射频信号提供高阻抗。我在这个小的铁氧体珍珠周围缠绕了 4 次电线。您可以将其替换为 1uH 或更多的线圈。
C4、C5和L4构成晶体管的输入匹配单元。我们对此无能为力吗?
在最后一个晶体管 Q2 的输出端,您会发现两个线圈 L5 和 L6。它们与 C6 和 C7 一起构成天线和晶体管的阻抗单元。
PCB布局设计:
电路笔记:
您可以使用其他功率晶体管如 2SC1971 (6W) 以获得更高的输出功率。
1.3W 仍会使您的射频信号相当远,您建议使用一个 50 欧姆的实心电阻作为虚拟负载。确保它可能需要 5-10W 以防止电阻器虚拟负载过热。
在测试过程中你必须使用天线或 50 欧姆的虚拟电阻,没有输出负载意味着晶体管被烧毁。
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