电子说
该MicroVac™卡盘专为正在测试高功率RF放大器(通常为HEMT器件,工作频率高达60 GHz)的客户而设计。这些高电子迁移率晶体管在III / V化合物半导体衬底(GaAs或GaN晶片)上制造,并且用于需要高功率信号传输的商业和军事的各种无线通信产品中。
这些高功率RF器件在测试和封装之前需要晶圆减薄。减薄工艺去除器件下方的多余晶片衬底材料,其充当热绝缘体,捕获热量,导致低性能,损坏或破坏的器件。在薄化过程中,晶圆可以减薄到仅50-100微米,这可能导致翘曲,有时晶圆会破裂或破裂成部分晶圆。
在将器件切割并组装到封装/散热器中之前,通常在探针台晶片夹盘上利用变薄的晶片执行电测试。当薄的晶圆位于卡盘上时,由于以下原因,在整个薄的晶圆接触区域上均匀地保持真空是至关重要的:
获得专利的MicroVac卡盘技术可在整个晶圆表面提供均匀的真空。改进的真空设计可最大限度地减少泄漏并提供恒定的真空 – 从而实现市场上可获得的最佳薄晶片下拉性能。对于减薄的晶片表面,可以在任何晶片位置实现均匀的探针超程,从而产生可重复的接触和测量结果。
此外,专用的真空设计可以轻松快速地拉下厚度翘曲的晶圆,从而缩短获得高精度数据的时间。晶圆可以变薄,变形或破裂。甚至部分晶片(不覆盖所有卡盘真空孔)也均匀地保持真空,以实现对卡盘的最大设备导热性和均匀的Z高度。
在测试高性能薄型GaAs和GaN晶圆时,MicroVac技术可实现最高精度的横向RF功率器件性能和良率。
有关MicroVac卡盘的更多信息,请联系我们。
审核编辑:符乾江
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