2纳米即将进入下世代的埃米(angstorm)时代布局

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  2 纳米成为半导体先进制程的决战点,台积电、三星、英特尔相继喊出量产时程,也持续往再下世代的埃米 (angstorm) 时代布局,High-NA(高数值孔径) EUV 则为延续摩尔定律的关键,台积电除先前传出取得 High-NA 研发型 EUV 曝光机外,也首度谈及引进量产型机台时程,持续掌握埃米时代话语权。

  目前 ASML 推出的三代 EUV 曝光设备,生产芯片精度最多 2 纳米,一旦进入 2 纳米以下的埃米时代,就得以更高精准度曝光设备生产,透过最先进的 High-NA EUV 微影设备,才能推进半导体技术下个重大创新,成为先进制程决胜关键。

  英特尔今年初宣布已率先向 ASML 购买业界首台 High-NA 量产型 EUV 设备 EXE:5200,其为首款具备 High-NA 的 EUV 大量生产系统,每小时晶圆曝光产能超过 200 片,英特尔并宣布将于 2025 年开始以 High-NA EUV 进行生产。

  由于英特尔为当时首家宣布取得 High-NA 量产型 EUV 设备的半导体厂,格外引发市场关注,甚至有研调机构分析师认为,若英特尔可抢先采用该设备,在摩尔定律竞赛中,有机会超车台积电。

  不过,台积电在日前的北美技术论坛上,首度谈及引进相关设备时程,宣布将于 2024 年引入 EXE:5200,以满足客户需求并推动创新,但并未透露该设备大规模量产时间点,仅表示 2024 年还不准备用新的 High-NA EUV 设备生产,主要用于与合作伙伴的研究。

  然而,在英特尔下订业界首台 High-NA 量产型 EUV 设备 EXE:5200 前,业界就传出台积电早已向 ASML 采购 High-NA 研发型 EUV 曝光机 EXE: 5000,除抢下大部分机台外,相关设备今年就能开始供货,且每小时生产的晶圆片数为 182 片,与量产型机台差异不大。

  也因此,业界认为,即便英特尔率先取得量产型机台 EXE:5200,但对产能帮助可能有限,要在埃米时代拿下市场霸主地位,恐怕还是充满挑战。

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