单晶片背面和斜面清洁（上）

介绍

在IC制造中，从晶圆背面(BS)去除颗粒变得与从正面(FS)去除颗粒一样重要。例如，在光刻过程中，； BS颗粒会导致顶侧表面形貌的变化。由于焦深(DOF)的处理窗口减小，这可能导致焦点故障，如图1所J 示。随着特征尺寸的减小，这个问题变得更加严重。BS颗粒可能在湿工作台引起其他问题，其中BS颗； 粒可能转移到邻近的晶片前侧。图2显示了这些FS颗

BS颗粒的典型来源是利用静电或真空吸盘进行的晶片 处理，或者来自真空室中的板和工作台，这导致如图3所 示的缺陷图。对于预光刻BS颗粒清洗，这些颗粒主要在 电介质沉积、金属溅射或注入/灰化过程中产生。

由于真空过程中典型的高温，颗粒会强烈地粘附在复 合物上。晶片背面。

用于先进器件制造的浸入式丸刻的引人带来了对松散膜 和颗粒的存在的更多关注，这些松散膜和颗粒会积聚在 晶片边缘(斜面和顶点)。晶片在设备流程中经历多个晶片 处理步骤，并且在每个步骤都会引入污染。由于扫描仪 的高处理量要求，浸没罩水层以大约0.5m/秒的速度移动 ,这从水弯月面的后缘移到邻近的晶片前侧。

实验在300毫米AK rion Systems gold finger velocity TM工具上进行。

兆频超声波声能通过塑料覆盖的压电材料直接传 递到晶片背面，到达由安装在晶片下面的BS兆频 超声波系统(BS Meg)提供的液体弯液面路径。BS Meg和晶圆背面之间的BS Meg弯月面的图片和声 音传输示意图如图5所示。

对于颗粒去除实验，在晶片翻转后，用Si3N4颗粒(直径200nm,每个晶片约20, 000个 颗粒)或在金属臟射室中污染300mm裸硅晶片。 在污染之前和之后以及清洗之后，通过SP2(KLA- 腾科公司)从65纳米尺寸幵始计数晶片上的颗粒数 量。

结果和讨论

正面和背面颗粒去除

SisN4颗粒的效率作为BSMeg功率和时间的函数 通过以下方式进行评估将稀释的SCI分配到薄饼上。图6显示了带有BSMeg和SCI的背面PRE在70W和30秒时已经达到85%以上条件下，BSMeg的背面PRE几乎比金手指的BS PRE高7倍 前端兆频超声波系统(FSMeg)。前面 如图7所示，使用任何一种兆频超声波，侧面• PRE是可比较的。这表明BS Meg能够清除两者 中的颗粒