SVT20240NTN沟道增强型MOS管的特征及参数

MOSFET作为功率半导体广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域，长期以来一直被国外厂商占据着大部分市场份额，受益于庞大的终端消费需求，国内终端厂商推进进口替代，骊微电子推出SVT20240NTN沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220场效应管。

irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征

■72A,200V,RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V

■开关速度快

■低栅极电荷

■低反向传输电容

■提升了dv/dt能力

200v低压mos管SVT20240NT采用士兰微LVMOS工艺，具有优越的开关性能、很高的雪崩击穿耐量及较低的导通电阻，SVT20240NT极性、封装、导通电阻及耐压和IRFB4227PBFTO-220基本一致，IRFB4227国产替代料可用SVT20240NT代换。

irfb4227代替型号SVT20240NT关键参数

SVT20240NT是72A、200VN沟道增强型场效应管，采用TO-220-3L封装，漏极电压VDS=200V，漏极电流Tc=25℃ID=72A，导通电阻RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V，是IRFB4227国产替代料，广泛应用于功放市场、UPS电源、通信电源等不间断电源及逆变器系统的电源管理，更多进口替代料产品手册及参数，请向士兰微MOS代理骊微电子申请。

审核编辑：符乾江