东芝推出新款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶体管

近日，东芝研发出新款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶体管（RC-IEGT）。经测试证实，相比于传统单栅极结构，该产品在导通关断时的总功耗（开关损耗）可降低24%。

功率器件是供电和管理电源的组件，对于降低各种电子设备功耗和实现碳中和社会至关重要。在全球脱碳和节能的趋势下，IEGT被广泛用于大功率逆变器和高压直流输电等需要大电流、高能效，以及更低功率损耗的应用。但由于在IEGT开启时降低损耗（导通损耗）会增加开关损耗，因此很难降低IEGT功耗。

此次东芝开发的全新器件是一种4.5kV双栅极RC-IEGT，其利用空穴控制栅极（CG）与主栅极（MG）分离。与单栅极器件中的反向恢复相比，这种方法通过在关断和注入之前控制空穴提取来降低损耗。在IEGT模式下，电流从基板的背面流向正面，CG关断之后MG关断，减少了基板中累积的空穴，同时降低了关断损耗。在二极管模式下，电流从基板正面流向背面，MG和CG在反向恢复之前同时导通，减少了基板中累积的电子，降低了反向恢复损耗。

新开发的双栅极RC-IEGT结合栅极控制技术，关断和导通损耗分别比传统单栅极结构降低24%和18%，反向恢复损耗降低32%。因此在实际测量值中，总开关损耗降低24%，而导通损耗没有任何增加。　　

      审核编辑：彭静